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J-GLOBAL ID：200903027320053847

半導体電極

Inventor： 林 紅 ,  横尾 俊信 ,  高橋 雅英
Applicant, Patent owner： 株式会社関西新技術研究所
Agent (1)： 間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999217104
Publication number (International publication number)：2001044469
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光の照射により生成されたキャリアの再結合を抑制してキャリア生成効率を向上させることができる半導体電極を提供する。【手段】 表面に透明導電性薄膜2が形成された透明基板1上に10nm〜100nmの膜厚のTiO2の薄膜3を被着形成して半導体電極を構成した。

Claim (excerpt)：

表面に導電性薄膜が形成された基板上にTiO2薄膜を被着形成した半導体電極において、前記TiO2薄膜の厚みを10nm〜100nmとしたことを特徴とする半導体電極。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/283 ,  H01M 14/00

FI (4)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/283 C ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 H

F-Term (26)：

4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F051BA11 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE18 ,  5H032HH04