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J-GLOBAL ID：200903027335947933

半導体レーザ装置

Inventor： 井戸 豊 ,  久光 守 ,  重定 頼和 ,  小林 裕 ,  樫原 稔
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048173
Publication number (International publication number)：1995263788
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ素子内の内部応力が少ない、長寿命高信頼性を有する高出力半導体レーザ装置を提供する。【構成】 ヒートシンク上にバリア層を形成するととともに、低融点ハンダ材にて半導体レーザ素子をヒートシンクのバリア層上に接合する。

Claim (excerpt)：

ヒートシンク上に半導体レーザ素子を接触させた半導体レーザ装置であって、ヒートシンクと半導体レーザ素子との間にはヒートシンクの金属が半導体レーザ素子へ拡散するのを防止するバリア層が設けられ、半導体レーザ素子が低融点ハンダにてバリア層上に接合されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-010993
  
• 特開昭55-039696
  
• 特開昭63-056945