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J-GLOBAL ID：200903027337650954

電力変換装置

Inventor：
碓井 修

About 碓井 修

, 
朝枝 健明

About 朝枝 健明


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001372756
Publication number (International publication number)：2003174782
Application date： Dec. 06, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高電圧の電力変換装置において、半導体素子の直列数が多くても、最も高電圧側に配置された半導体素子のベース板と主端子との間に印加される電圧を低減することにより、半導体素子の絶縁耐圧を超える電圧が印加されることのない電力変換装置を提供する。【解決手段】 複数個の半導体素子を直列接続して構成される電力変換のための半導体素子群、その半導体素子群を各々搭載する導電性部材、その導電性部材に所定の電位を与える電位供与手段を備え、その所定の電位は半導体素子群の両端に与えられる電位のうち高い方を下回り、低い方を上回る範囲内の電位であるようにした。
Claim (excerpt)：
電源からの入力電力を変換して負荷に出力するための電力変換装置において、複数個の半導体素子を直列接続して構成される電力変換のための半導体素子群、前記半導体素子群を各々搭載する導電性部材、前記導電性部材に所定の電位を与える電位供与手段を備え、前記所定の電位は前記半導体素子群の両端に与えられる電位のうち高い方を下回り、低い方を上回る範囲内の電位であることを特徴とする電力変換装置。
FI (3)：
H02M 7/48 M ,  H02M 7/48 Q ,  H02M 7/48 S
F-Term (8)：
5H007CA01 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC04 ,  5H007CC06 ,  5H007FA01 ,  5H007FA13 ,  5H007HA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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