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J-GLOBAL ID：200903027347279715

薄膜作製方法および薄膜作製装置

Inventor： 山本 睦 ,  桑田 純 ,  松岡 富造
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138348
Publication number (International publication number)：1993331618
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 表面が酸化物で構成された基板表面に吸着した水分、さらには酸化物中に含まれる水分を脱離させ、その後続けて真空中で所望の薄膜を製膜することによって、下地からの水分の脱離による上部薄膜の局部的な剥離を防止する。【構成】 表面が酸化物で構成された基板3に対して、真空中において当該基板表面にマイクロ波による誘導加熱を施す、または当該基板表面をスパッタリングする、または当該基板表面にECRプラズマを照射することによって酸化物表面に吸着した水分、さらには酸化物中に取り込まれている水分を脱離し、その後当該基板3に真空中において連続的に所望の薄膜を製膜する構成による。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板または表面の少なくとも一部に酸化物を主成分とする薄膜が形成された基板の表面に真空中でマイクロ波を用いた誘導加熱を施した後、途中大気に触れずに続けて真空中で薄膜を形成する工程を少なくとも有することを特徴とする薄膜作製方法。

IPC (8)：

C23C 14/02 ,  C23C 14/26 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-138466
  
• 特開平1-096364
  
• 特開平4-085927