Pat

J-GLOBAL ID：200903027348210158

半導体装置の製造方法

Inventor： 東條 信治 ,  金光 伸弥 ,  市原 誠一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001311540
Publication number (International publication number)：2003124262
Application date： Oct. 09, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体チップの突起電極とフィルム基板のリードを高精度に接続する。【解決手段】 半導体チップの突起電極とフィルム基板のインナーリードを接続する際のリードピッチの変動を考慮し、あらかじめインナーリードのピッチに補正を加える。また、液晶基板の電極とフィルム基板のアウターリードを接続する際のリードピッチの変動を考慮し、あらかじめアウターリードのピッチにも補正を加える。

Claim (excerpt)：

(a)金を含む導体からなる複数の突起電極が形成された半導体チップを用意する工程と、(b)有機樹脂を含む絶縁体からなる薄膜ベースに、前記半導体チップの複数の突起電極のそれぞれに対応する複数のリードが形成された配線基板を用意する工程と、(c)前記半導体チップに形成された前記複数の突起電極のそれぞれを、前記配線基板に形成された前記複数のリードのそれぞれに接合する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記(b)工程で用意する前記配線基板は、前記複数の突起電極のピッチが、前記複数の突起電極のそれぞれに対応する箇所における前記リードのピッチよりも大きく、前記複数のリードのそれぞれは、前記突起電極に接合される部分が、前記薄膜ベースに固着されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (4)：

5F044KK02 ,  5F044KK17 ,  5F044MM25 ,  5F044MM26