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J-GLOBAL ID：200903027349789303

III族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： 伊藤 潤 ,  千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  渡邉 大志 ,  野杁 静代 ,  浅見 慎也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999235450
Publication number (International publication number)：2000323753
Application date： Aug. 23, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 工業的に容易に入手可能な原材料を用いて良好な結晶構造のIII族窒化物系化合物半導体層を形成できるようにする。【解決手段】 基板の上に金属窒化物の中から選ばれた窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム若しくは窒化タンタルからなる下地層形成し、該下地層の上にIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の上に形成された窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム及び窒化タンタルの中から選ばれる1種又は2種以上を含んでなる下地層と、該下地層の上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 A ,  H01S 5/323

F-Term (19)：

5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• III 族窒化物半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-125238   Applicant：富士電機株式会社
• InGaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-030618   Applicant：三菱電線工業株式会社