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J-GLOBAL ID:200903027352936708

磁界検出センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998186690
Publication number (International publication number):2000019034
Application date: Jul. 01, 1998
Publication date: Jan. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 磁界検出センサにおいて、低コストかつ高感度であると共に被検出体の磁界空間分布による検出値のバラツキを低減する。【解決手段】 円周方向に平行な磁気異方性を有する円筒部(例えば磁歪リング113)が装着されたシャフトに対し、磁界検出センサ111を該リング113の端部に沿うように曲げ、シャフトを一周するよう周面上に配置し、リング113の端部から漏洩する磁界をインピーダンスの変化として検出する。磁界検出センサ111は、可撓性基板214上に、磁性体層211、該磁性体層211と基板214との間に形成され両端が高周波電流源101に接続される導電層212とが形成された積層型センサ素子を有し、磁性体層211には素子幅方向の磁気異方性が与えられている。
Claim (excerpt):
円周方向に平行な磁気異方性を有する円筒部を有するシャフトの該円筒部の端部に発生する漏洩磁界の変化を検出する磁界検出センサであり、基板上に線状に形成された磁性体層と、その表面の少なくとも一部が該磁性体層と接するように形成され両端が高周波電流源に接続される導電層と、を備え、前記磁性体層が、その長手方向と直交する方向に磁気異方性を有する線状の積層型センサ素子を有し、前記基板として可撓性基板を用い、該可撓性基板を前記シャフトの周面に沿わせて曲げて前記積層型センサ素子を前記円筒部の端部に沿って配置し、前記円筒部の端部からの漏洩磁界の変化を検出することを特徴とする磁界検出センサ。
IPC (3):
G01L 3/10 ,  G01D 5/18 ,  G01R 33/02
FI (3):
G01L 3/10 A ,  G01D 5/18 A ,  G01R 33/02 A
F-Term (12):
2F077AA49 ,  2F077JJ15 ,  2F077MM03 ,  2F077TT06 ,  2G017AA01 ,  2G017AA08 ,  2G017AC06 ,  2G017AD02 ,  2G017AD42 ,  2G017AD43 ,  2G017BA03 ,  2G017BA05

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