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J-GLOBAL ID：200903027355412165

半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法

Inventor： 根上 卓之 ,  寺内 正治 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996102895
Publication number (International publication number)：1997055378
Application date： Apr. 24, 1996
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 伝導型やキャリア濃度の制御と膜厚方向のキャリア濃度分布の制御が容易で、太陽電池の光吸収層として用いた場合に高いエネルギー変換効率と変換効率の均一性が達成し得るカルコパイライト構造半導体薄膜を製造するのに好適な半導体薄膜形成用前駆体ならびにそれを用いた半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基体1上にドーパントとなる Ia族からなる酸化物Na2O2を添加したIb族とIIIa族元素からなる酸化物薄膜2であるCu-In-O:Na2O2を堆積し、VIa族元素を含む雰囲気中( H2Seを含むArガスと水素ガス)で熱処理することにより前記ドーパントとなる元素を添加したIb族、IIIa族とVIa族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜2aであるCuInSe2 :Naを製造する。

Claim (excerpt)：

基体上に Ia族とIIa族とIIb族とVa族とVb族からなる元素群から選ばれた少なくとも一つのドーパントとなる元素と主成分となる Ib族元素及び IIIa族元素とからなる酸化物薄膜が堆積されてなる半導体薄膜形成用前駆体。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E