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J-GLOBAL ID：200903027355464220

半導体素子及びその製造方法

Inventor： 宮本 和弘 ,  五月女 博明 ,  佐藤 弘之 ,  森川 謙一
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999351051
Publication number (International publication number)：2001168392
Application date： Dec. 10, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 p型ZnO系単結晶層に対して良好なオーミック電極を有する半導体素子を形成する。【解決手段】 p型ZnO系単結晶層107と、それに接触し、Ni、Rh、Pt、Pdおよびこれらの合金の群から選択された少なくとも1種を含む第1金属層108aと、その上に形成され、第1金属層108aとは異なる金属、又はそれらの合金を含む第2金属層108bとを含む。

Claim (excerpt)：

p型ZnO系単結晶層と、前記p型ZnO系単結晶層に接触し、Ni、Rh、Pt、Pdおよびこれらの合金の群から選択された少なくとも1種を含む第1金属層と、前記第1金属層の上に形成され、前記第1金属層とは異なる金属、又はそれらの合金を含む第2金属層とを含む半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363

FI (3)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/363

F-Term (40)：

4M104AA06 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB07 ,  5F103BB08 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103KK03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103PP12 ,  5F103PP13 ,  5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082043   Applicant：科学技術振興事業団