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J-GLOBAL ID:200903027363004440

透明導電膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 広瀬 章一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996345779
Publication number (International publication number):1998188680
Application date: Dec. 25, 1996
Publication date: Jul. 21, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ブラウン管表面に、可視光最低反射率が1%以下、ヘーズが1%以下、全可視光線透過率が55%以上、表面抵抗が102 Ω/□台で、反射光が青みを帯びず無色である透明導電膜を形成して、外部映像の映り込みによる視認性低下と電磁波漏洩の防止を図る。【解決手段】 シリカ質マトリックス中に平均一次粒子径5〜50 nm の金属微粉末の二次粒子を含む導電層からなる下層の上に、シリカ質の上層を被覆した2層構造の透明導電膜とする。下層の表面が凹凸を有し、下層の凸部での平均膜厚が50〜150 nmであり、凹部での平均膜厚が凸部での平均膜厚の50〜85%であって、凸部の平均ピッチが20〜300 nmである。
Claim (excerpt):
透明基体の表面に設けた、シリカ質マトリックス中に金属微粉末を含有する下層と、その上に設けたシリカ質の上層とからなる、2層構造の透明導電膜であって、該下層の表面が凹凸を有し、下層の凸部での平均膜厚が50〜150 nmであり、凹部での平均膜厚が凸部での平均膜厚の50〜85%であり、該凸部の平均ピッチが20〜300 nmであることを特徴とする、低反射性で低抵抗の透明導電膜。
IPC (7):
H01B 5/14 ,  C03C 17/34 ,  C09D 5/24 ,  H01B 1/22 ,  H01J 29/88 ,  H05K 9/00 ,  G02B 1/10
FI (7):
H01B 5/14 A ,  C03C 17/34 Z ,  C09D 5/24 ,  H01B 1/22 B ,  H01J 29/88 ,  H05K 9/00 V ,  G02B 1/10 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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