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J-GLOBAL ID：200903027370876631

半導体レーザ装置

Inventor： 佐藤 純治
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 清水 敬一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995129910
Publication number (International publication number)：1996125273
Application date： May. 29, 1995
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置の放熱特性及び耐酸化性を向上させる。【構成】 本発明による半導体レーザ装置は、GaAs基板(21)上にAlGaInPより成る第1のクラッド層(23)と、GaInPより成る活性層(24)と、AlGaInPより成る第2のクラッド層(25)とを順次積層し、第2のクラッド層(25)に部分的に突出して尾根状クラッド層(27)を形成し、第2のクラッド層(25)上にのみ電流ブロック層(26)を形成する。電流ブロック層(26)は、厚さが0.003〜0.01μmのAl0.5In0.5Pより成る薄層と厚さが0.003〜0.01μmのAlAsより成る薄層とが交互に積層され且つ前記第2のクラッド層(25)に隣接する第1の電流ブロック層(26a)と、GaAsから成り且つ前記第1の電流ブロック層(26a)を介して前記第2のクラッド層(25)に隣接する第2の電流ブロック層(26b)とで構成され、放熱特性及び耐酸化性を向上できる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板(21)上にAlGaInPより成る第1のクラッド層(23)と、GaInPより成る活性層(24)と、AlGaInPより成る第2のクラッド層(25)とを順次積層し、該第2のクラッド層(25)を部分的に突出させて尾根状クラッド層(27)を形成し、前記第2のクラッド層(25)上にのみ電流ブロック層(26)を形成した半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層(26)は前記第2のクラッド層(25)に隣接する第1の電流ブロック層(26a)と、GaAsから成り且つ前記第1の電流ブロック層(26a)を介して前記第2のクラッド層(25)に隣接する第2の電流ブロック層(26b)とを有し、前記第1の電流ブロック層(26a)は厚さ0.003〜0.01μmのAl0.5In0.5Pより成る薄層と厚さ0.003〜0.01μmのAlAsより成る薄層とが交互に積層されて成り、前記第1の電流ブロック層(26a)の屈折率は前記活性層(24)、前記第2のクラッド層(26b)及び前記尾根状クラッド層(27)のいずれの屈折率よりも小さく、前記第1の電流ブロック層(26a)の禁制帯幅は前記活性層(24)の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする半導体レーザ装置。