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J-GLOBAL ID:200903027377488920

X線分析装置及びその分析方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 波多野 久 ,  関口 俊三 ,  猿渡 章雄 ,  古川 潤一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004108316
Publication number (International publication number):2005291961
Application date: Mar. 31, 2004
Publication date: Oct. 20, 2005
Summary:
【課題】BG放射線が存在する環境にて、BG放射線に影響されることなく高いS/N比で分析試料の元素分析及び解析を実施すること。【解決手段】BG放射線dを有する環境にて、X線源14からX線を照射することによって分析試料10から放出される蛍光X線bを検出するCdTe半導体検出器16と、このCdTe半導体検出器16から出力された出力パルス101を増幅・変換及びデジタル変換して取得する未処理パルス103の波形によってCdTe単結晶における反応深さを演算し未処理パルス103から誤パルスを除去する反応深さ演算手段20と、一次処理パルス104の波高によって一次処理パルスから誤パルスを除去する波高弁別器21とを備えた。この波高弁別器21から出力される二次処理パルス105を利用して分析試料10の元素分析及び解析を行なう。また、CdTe単結晶は、BG放射線dを検出できる厚さを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
バックグランド放射線が存在する環境にて、X線源からX線を照射することによって分析試料から放出されるX線を放射線検出器で検出し、この放射線検出器から出力されるパルスを利用して前記分析試料の元素分析及び解析を行なうX線分析装置において、 前記バックグランド放射線を検出できる厚さの検出素子を有する放射線検出器と、 前記放射線検出器から出力されたパルスの波形によって検出素子における反応深さを演算し、この反応深さによって、前記パルスから誤パルスを除去する反応深さ演算手段とを備えたことを特徴とするX線分析装置。
IPC (3):
G01N23/223 ,  G01T1/17 ,  G01T1/24
FI (3):
G01N23/223 ,  G01T1/17 C ,  G01T1/24
F-Term (19):
2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001CA01 ,  2G001DA01 ,  2G001DA02 ,  2G001DA10 ,  2G001EA03 ,  2G001KA01 ,  2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088FF03 ,  2G088FF15 ,  2G088GG17 ,  2G088GG21 ,  2G088KK01 ,  2G088KK02 ,  2G088KK15 ,  2G088LL02 ,  2G088LL06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
  • 放射線測定装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-056608   Applicant:株式会社東芝
  • 試料解析装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-050294   Applicant:株式会社島津総合科学研究所
  • 放射線検出器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-150563   Applicant:セイコーインスツルメンツ株式会社
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