Pat
J-GLOBAL ID：200903027402045672
プラズマ処理方法及びその装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993257993
Publication number (International publication number)：1994340985
Application date： Oct. 20, 1986
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】プラズマ処理室に発生するプラズマに影響されることなく共振状態を維持して安定にマイクロ波を前記プラズマ中に供給することにより、高密度なプラズマを安定に発生させ、被処理物を高速で且つ均一に処理するプラズマ処理方法及びその装置を提供する。【作用】マイクロ波発生源で発生したマイクロ波を、大気中で共振させて振幅を大きくしてスリット手段から処理室内に放射し処理室内にプラズマを発生させることにより、処理室内に高密度のプラズマを発生させる。ここで、マイクロ波を共振させる部分とプラズマを発生させる部分を分離することによりプラズマを安定に発生させることが可能隣、かつスリット手段のスリットを円弧状に複数配置することにより被処理物に対するプラズマ中のイオンの効果を均一に発生させる。【効果】高速で最適なイオンエネルギーによるプラズマ処理ができる。更に、半導体ウエハの微細パターンを高精度、高速にかつ低損傷で形成できる。更にまた均一な成膜を高速に行える効果がある。
Claim (excerpt)：
マイクロ波発生源と、該マイクロ波発生源から供給されたマイクロ波を放射するスリットを該スリットが前記マイクロ波によって生ずる表面電流をほぼ直角に横切る方向に設けたスリット手段と、内部に基板を設け所定の圧力に維持された状態で前記スリット手段から放射されたマイクロ波を導入してプラズマを発生させ前記基板を処理するプラズマ処理室と、該プラズマ処理室と前記スリット手段とを分離し前記マイクロ波を透過する分離手段とを備え、前記マイクロ波により発生させたプラズマにより前記基板を処理することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
C23F 4/00
, B01J 19/12
, C23C 14/35
, C23C 16/50
, H05H 1/46
