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J-GLOBAL ID：200903027403899373

温度制御装置を具えた半導体レーザ装置とその製造方法

Inventor： 益子 隆行 ,  佐藤 俊一 ,  石坂 哲男 ,  横井 小恵子 ,  大矢 利夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992066541
Publication number (International publication number)：1993275795
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、温度制御装置を具えた半導体レーザ装置に関し、半導体レーザ素子の搭載された金属基板がペルチエ効果素子による温度制御装置のセラミック基板と面接合された状態で、温度変化によって湾曲変形することによる該セラミック基板とペルチエ効果素子との接合部が剥離することを防止する。【構成】 半導体レーザ素子の搭載された金属基板と、一対のセラミック基板21,22間に複数個のペルチエ効果素子20の両端が接合されてなる温度制御装置の該セラミック基板21とが面接合された半導体レーザ装置において、上記セラミック基板21,22と上記ペルチエ効果素子20とを接合している接合部の剥離防止手段を具えたこと。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子(5)の搭載された金属基板(4)と、一対のセラミック基板(21)(22)間に複数個のペルチエ効果素子(20)の両端が接合されてなる温度制御装置(3)の該セラミック基板(21)とが面接合された半導体レーザ装置において、上記セラミック基板(21)(22)と上記ペルチエ効果素子(20)とを接合している接合部の剥離防止手段を具えたことを特徴とする温度制御手段を具えた半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-277306
  
• 特開昭54-120152