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J-GLOBAL ID：200903027404649508

半導体装置

Inventor： 寺島 克司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014885
Publication number (International publication number)：1993218230
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】CCD,uVEPROM等の受光機能付半導体装置の軽薄短小構造を提供すること。【構成】ガラス基板2上に、フリップチップ構造で搭載された半導体素子1を樹脂8で被覆する。半導体素子1の周囲に当る位置のガラス基板2上に溌油性の流れ停め16を設け、半導体素子1とガラス基板2間を中空にしておく。【効果】厚さ1mm以下,幅3mm以下も可能で、可視光,紫外線の透過損失,ばらつきも防止できる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に半導体素子をはんだバンプにより接続するフリップチップ構造の半導体装置において、前記絶縁基板が光透過用ガラス基板から成り、少なくとも前記半導体素子を樹脂により被覆することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/15 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 23/14 C ,  H01L 27/14 D