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J-GLOBAL ID：200903027426910269

薄膜トランジスタとその製造方法

Inventor： 今 真人
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005316405
Publication number (International publication number)：2007123702
Application date： Oct. 31, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】酸素欠損が生じやすい酸化物半導体の酸素欠損を防止し、安定な薄膜トランジスタとその製造方法を提供してトランジスタ設計の自由度を高めることを目的とする。【解決手段】母体となるZnO、SnO2、In2O3、Zn2SnO4のいずれか1種からなる酸化物半導体Aと、トンネル効果を生じる膜厚以下の膜厚で、且つ酸素原子を有する酸化物層間材Bとを積層した積層物を酸化物半導体を活性層として用いることにより解決した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

母体となる酸化物半導体Aと、トンネル効果を生じる膜厚以下の膜厚で、且つ酸素原子を有する酸化物層間材Bとを積層した酸化物半導体を活性層として用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A

F-Term (33)：

5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG20 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33