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J-GLOBAL ID：200903027433175680

薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法

Inventor： 林 克彦
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999346489
Publication number (International publication number)：2001168355
Application date： Dec. 06, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】セルがタンデム型構造を有する場合においても短絡部を絶縁処理することが可能な薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法は、基板2上に第1の電極層3、複数の薄膜光電変換ユニット4a,4b、及び第2の電極層5を順次積層した構造をそれぞれ有する複数の薄膜光電変換セル10を具備し、前記複数の薄膜光電変換ユニット4a,4bはそれぞれ吸収波長域が異なり且つタンデム型構造を形成する薄膜光電変換モジュール1の欠陥修復方法であって、前記複数の薄膜光電変換セル10の1つに対して、前記複数の薄膜光電変換ユニット4a,4bの1つが他に比べて光起電力がより小さくなるように光を照射しつつ逆バイアス電圧を印加することにより、前記光起電力のより小さな薄膜光電変換ユニット4bに形成された短絡部9を絶縁する工程を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に第1の電極層、複数の薄膜光電変換ユニット、及び第2の電極層を順次積層した構造をそれぞれ有する複数の薄膜光電変換セルを具備し、前記複数の薄膜光電変換ユニットはそれぞれ吸収波長域が異なり且つタンデム型構造を形成する薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法であって、前記複数の薄膜光電変換セルの1つに対して、前記複数の薄膜光電変換ユニットの1つが他に比べて光起電力がより小さくなるように光を照射しつつ逆バイアス電圧を印加することにより、前記光起電力のより小さな薄膜光電変換ユニットに形成された短絡部を絶縁する工程を含むことを特徴とする薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法。

F-Term (13)：

5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051EA03 ,  5F051EA09 ,  5F051EA16 ,  5F051FA04 ,  5F051FA17 ,  5F051GA03 ,  5F051HA11 ,  5F051JA05 ,  5F051JA20