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J-GLOBAL ID：200903027436030607

発光ダイオード

Inventor： 堀川 俊治
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994181619
Publication number (International publication number)：1996046239
Application date： Aug. 02, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 AlGaInP系材料を発光部とする発光波長が593nmより短波長のLEDにおいて、電流拡散層として適当な組成のGaAlAsを提供する。【構成】 発光波長が593nmより短いバンドギャップエネルギーEgのAlGaInP系材料を発光層103とするLEDにおいて、電流拡散層105のGa<SB>1-X</SB> Al<SB>X</SB>Asの組成を(0.872・Eg-1.391)<SP>1/2</SP> -0.094≦X<0.8とする。【効果】 発光部における電流分布を改善し、発光ダイオードの輝度を向上させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に発光部と電流拡散層とを有し、半導体基板、発光部、電流拡散層がそれぞれGaAs、AlGaInP系材料、GaAlAsからなり、かつ発光波長が593nmより短波長である発光ダイオードであって、前記電流拡散層を構成するGaAlAsのAl混晶比Xが(0.872・Eg-1.391)<SP>1/2</SP> -0.094≦X<0.8であることを特徴とする発光ダイオード。(但し、Egは発光層となるAlGaInP系材料のバンドギャップエネルギー、またXはGa<SB>1-X</SB> Al<SB>X</SB> As電流拡散層のAl混晶比をそれぞれ示す。)