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J-GLOBAL ID：200903027476241392

エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Inventor： 荒井 真澄 ,  服部 有 ,  石原 元 ,  伊藤 信衛
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社 ,  新技術事業団
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993301093
Publication number (International publication number)：1995130469
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】絶縁破壊電圧が高く、破壊し難い信頼性の高い高輝度・高効率なEL素子を提供すること。【構成】EL素子100は、ガラス基板1上に下部電極2、下部絶縁層3、発光層4、上部絶縁層5及び上部電極6を順次積層し形成されている。上記発光層4は硫化亜鉛(ZnS) を母体材料としている。この発光層4の成膜後、発光層表面に発生する凹凸を発光層表面を酸化し、その酸化層を除去することにより発光層の表面粗さを低減して発光層表面を平坦化させると、発光層表面の凹凸が無くなり、大きな表面粗さに起因するとみられる上部絶縁層5中のクラックや歪みの発生が抑制でき、EL素子の絶縁破壊電圧が向上する。これにより、EL素子100 は、絶縁破壊電圧が高く、破壊し難い高い信頼性が得られる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に下部電極、下部絶縁層、母体材料に発光中心材料が添加された発光層、上部絶縁層及び上部電極を順次積層し、少なくとも前記発光層から光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて形成したエレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層の表面粗さ(Rmax)が50nm未満であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。

IPC (2)：

H05B 33/14 ,  H05B 33/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-032193
  
• 特開昭61-099297
  
• 特開昭64-065797