Pat
J-GLOBAL ID:200903027488525256
TFT型液晶表示装置およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石井 和郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000359901
Publication number (International publication number):2002033485
Application date: Nov. 27, 2000
Publication date: Jan. 31, 2002
Summary:
【要約】【課題】 多結晶珪素膜を薄してもトランジスタのソースおよびドレイン領域の抵抗が増加することなく、トランジスタ特性を低下させることのないTFT型液晶表示装置を提供すること。【解決手段】 MIS型トランジスタの半導体層において、ゲート電極に相対するチャンネル部の膜厚が、ソース電極部およびドレイン電極部の膜厚より薄い構造を有するTFT型液晶表示装置とその製造方法であって、第1の半導体層を形成する工程と、第1の半導体層の一部をエッチングする工程と、第1の半導体層を覆う第2の半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするTFT型液晶表示装置の製造方法。また、前記半導体層の一部を途中までエッチングすることによっても膜厚に差を設けることができる。
Claim (excerpt):
MIS型トランジスタの半導体層において、ゲート電極に相対するチャンネル部の膜厚が、ソース電極部およびドレイン電極部の膜厚より薄い構造を有することを特徴とするTFT型液晶表示装置。
IPC (3):
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 21/336
FI (4):
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 D
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 627 G
F-Term (29):
5F052AA02
, 5F052AA17
, 5F052DA02
, 5F052DB03
, 5F052JA01
, 5F110AA26
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110CC06
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110FF02
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG22
, 5F110GG25
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ13
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK35
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110PP03
, 5F110PP35
, 5F110QQ11
Return to Previous Page