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J-GLOBAL ID：200903027496801130

半導体ウエハ処理液

Inventor： 吉村 玲子 ,  多田 宰 ,  川門前 善洋
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310711
Publication number (International publication number)：1994163495
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 パ-ティクルとともに金属不純物を半導体ウエハ表面から充分に除去することが可能な半導体ウエハ処理液を提供する。【構成】 水性溶媒を主成分とし、前記水性溶媒中に下記一般式で示されるヒドラゾン誘導体及びその互変異性体の少なくとも1種を添加成分として含有する。【化1】(式中、R1 ,R2 はアシル基またはo位の少なくとも一方がヒドロキシ基、カルボニル基及びこれらの塩のいずれか1種で置換された芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基、R3 は水素原子または置換されていてもよい芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基もしくは脂環式炭化水素基を表す。)【効果】 半導体ウエハ表面を極めて清浄な状態にすることができる。

Claim (excerpt)：

水性溶媒を主成分とし、前記水性溶媒中に下記一般式で示されるヒドラゾン誘導体及びその互変異性体の少なくとも1種を添加成分として含有することを特徴とする半導体ウエハ処理液。【化1】(式中、R1 ,R2 はアシル基またはo位の少なくとも一方がヒドロキシ基、カルボニル基及びこれらの塩のいずれか1種で置換された芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基、R3 は水素原子または置換されていてもよい芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基もしくは脂環式炭化水素基を表す。)

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-063643
  
• 特開昭52-153883