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J-GLOBAL ID：200903027501152960

マイクロ波集積回路のバイアス回路

Inventor： 秋葉 康弘
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992058681
Publication number (International publication number)：1993267947
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】トランジスタのバイアス条件のばらつきによる利得変動を抑制する。【構成】電源VGと接地間の電圧を分圧する分圧回路の一方を複数の抵抗R12〜R16の直列抵抗回路で形成する。抵抗R12〜R16の直列接続点およびR16の他端にボンデンィング用のパッド12〜16を備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され一方の端子が第一の電源に他方の端子がインピーダンス素子を介してトランジスタのバイアス制御電極にそれぞれ接続した第一の抵抗と、前記半導体基板上に形成され複数の第二の抵抗の直列接続からなり前記第一の抵抗の前記他方の端子に接続した直列抵抗回路と、前記直列抵抗回路の他方の端子および前記第二の抵抗の各々の直列接続点に設けそのうちの1つに第二の電源を供給する複数のボンディングパッドとを備えることを特徴とするマイクロ波集積回路のバイアス回路。