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J-GLOBAL ID：200903027506965862
半導体装置の製造方法および装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276983
Publication number (International publication number)：1994132266
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【構成】被処理物1の保持を周辺の数点で行い、被処理物1の両面に紫外線,反応ガスを供給するようにする。【効果】被処理物の装置への付着が周辺のみで面積が少ないので異物付着を大幅に減少させることができ、被処理物の両面に紫外線,反応ガスを供給でき両面の処理を同時にできる。
Claim (excerpt)：
被処理物の表裏面に紫外線と反応ガスを同時に供給する工程を持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
