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J-GLOBAL ID：200903027507293450
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999243900
Publication number (International publication number)：2001068759
Application date： Aug. 30, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 バルクハウゼンノイズを抑制する。【解決手段】 磁化自由層である第2の磁性金属層4上に、非磁性金属層5と、反強磁性層6とを順次積層する。このことにより、磁化自由層を単磁区化し、磁壁が生じるのを防ぐことが可能になる。これにより、ヒステリシスを防止し、バルクハウゼンノイズを抑制する。
Claim (excerpt)：
一定の方向に磁化が固定されている磁化固定層と、上記磁化固定層上に形成されたトンネル障壁層と、上記トンネル障壁層上に形成され、磁化方向が自在に変化する磁化自由層とを備え、上記磁化自由層上に非磁性金属層が存在し、上記非磁性金属層上に導電性反強磁性層を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
