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J-GLOBAL ID：200903027513790270

不揮発性メモリの製造システム及びその製造方法

Inventor： 石田 昇司 ,  中野 健司 ,  柏谷 元史 ,  井上 雅貴
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994271487
Publication number (International publication number)：1996139208
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】ウエハ上のICチップに対して、情報の書き込みを直接行うことにより、ROM作成のためのマスクを用いないで、ROMを製造する。【構成】システムはデータの演算を行うデータ演算部31、データ演算部31で演算された結果に基づいて電子描画部33を制御する制御部32、及びウエハ3に電子ビームにて描画を行う電子描画部33とを備えている。データ演算部31は1ウエハ毎に対応して複数のバイナリコードを用意し、ウエハ及びウエハ上に形成されるICチップ毎の座標を生成する。データ演算部31は各バイナリコードから各ICチップ内での直描データを対応させ、バイナリコードデータを用いて直描パターンのためのデータを発生する。制御部32及び電子描画部33はこのパターンデータに基づいてウエハ上のICチップに電子ビームにて直描を行う。

Claim (excerpt)：

1ウエハ毎に対応して複数のバイナリコードを用意するバイナリコード生成手段と、ウエハ及びウエハ上に形成されるICチップ毎の座標を生成する座標生成手段と、前記各バイナリコードを各ICチップ内での直描データに対応させる直描データ対応手段と、前記対応させたバイナリコードデータを用いて直描パターンのためのデータを発生するパターンデータ作成手段と、このパターンデータに基づいてウエハ上のICチップに電子ビームにて直接描画を行う電子描画手段と、を備えた不揮発性メモリの製造システム。

IPC (3)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 21/30 541 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-274156
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-168574   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-127566