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J-GLOBAL ID：200903027524252377

半導体装置の製造方法

Inventor： 林 敬司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993105433
Publication number (International publication number)：1994318561
Application date： May. 06, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程を簡略化を図る。【構成】 複数のMOSトランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、基板上にマスクを形成し、該マスクに1つのMOSトランジスタ形成予定領域内においては同じサイズの複数の開口を、他のMOSトランジスタ形成予定領域内においては同じサイズであるが前記開口のサイズとは異なる複数の開口を設けたパターン化マスク2を形成し、該パターン化マスク2を介して、同一の不純物源より同時に不純物を注入し、次いで拡散処理に付すことにより不純物濃度の異なる領域を複数形成し、該不純物濃度の異なる領域毎にMOSトランジスタを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にマスクを形成し、該マスクに1つのMOSトランジスタ形成予定領域内においては同じサイズの複数の開口を、他のMOSトランジスタ形成予定領域内においては同じサイズであるが前記開口のサイズとは異なる複数の開口を設けたパターン化マスクを形成し、該パターン化マスクを介して、同一の不純物源より同時に不純物を注入し、次いで拡散処理に付すことにより不純物濃度の異なる領域を複数形成し、該不純物濃度の異なる領域毎にMOSトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。