膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：白井重隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177700
Publication number (International publication number)：2001049177
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズが小さい低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)R2 R3 Si(OR1 )2 および/またはR2 Si(OR1 )3 と、Si(OR1 )4 (R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す)、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)一般式PEOp-PPOq-PEOr(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、PPOはポリプロピレンオキサイド単位、pは2〜200、qは20〜80、rは2〜200の数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。

Claim (excerpt)：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物および/または(A-2)下記一般式(2)で表される化合物と、(A-3)下記一般式(3)で表される化合物、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、R2 R3 Si(OR1 )2 (1)R2 Si(OR1 )3 (2)Si(OR1 )4 (3)(R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す。)(B)一般式PEOp-PPOq-PEOr(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、PPOはポリプロピレンオキサイド単位、pは2〜200、qは20〜80、rは2〜200の数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (4)：

C09D183/04 , C09D201/00 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (4)：

C09D183/04 , C09D201/00 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

F-Term (14)：

4J038DF022 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038JC32 , 4J038KA06 , 4J038NA21 , 4J038NA26 , 4J038PA19 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

有機-無機複合体および無機多孔質体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-189731 Applicant：旭化成工業株式会社
有機珪素重合体及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-033769 Applicant：富士通株式会社
粒度分布の狭いポリシロキサン微小球の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-184340 Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

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