Pat

J-GLOBAL ID：200903027531037759

III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

Inventor： 岩田 浩和 ,  皿山 正二
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004313692
Publication number (International publication number)：2006124224
Application date： Oct. 28, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】 従来よりも低コストで、高品質,大型のIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液24からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物26の(0001)面、あるいは、{10-11}面、あるいは、(0001)面と{10-11}面とが混在した面で概ね覆われた領域から、(000-1)面を成長面とするIII族窒化物結晶27を成長させる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物の(0001)面、あるいは、{10-11}面、あるいは、(0001)面と{10-11}面とが混在した面で概ね覆われた領域から、(000-1)面を成長面とするIII族窒化物結晶を成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 11/06

FI (2)：

C30B29/38 D ,  C30B11/06

F-Term (13)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CD01 ,  4G077CD02 ,  4G077CD05 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EH07 ,  4G077HA02 ,  4G077MB12 ,  4G077MB33 ,  4G077MB35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-019716   Applicant：株式会社リコー