Pat
J-GLOBAL ID：200903027531037759
III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004313692
Publication number (International publication number)：2006124224
Application date： Oct. 28, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：
【課題】 従来よりも低コストで、高品質,大型のIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液24からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物26の(0001)面、あるいは、{10-11}面、あるいは、(0001)面と{10-11}面とが混在した面で概ね覆われた領域から、(000-1)面を成長面とするIII族窒化物結晶27を成長させる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物の(0001)面、あるいは、{10-11}面、あるいは、(0001)面と{10-11}面とが混在した面で概ね覆われた領域から、(000-1)面を成長面とするIII族窒化物結晶を成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (13)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CD01
, 4G077CD02
, 4G077CD05
, 4G077EA01
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077EH07
, 4G077HA02
, 4G077MB12
, 4G077MB33
, 4G077MB35
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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