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J-GLOBAL ID：200903027532163405

半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置

Inventor： 小林 敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991330339
Publication number (International publication number)：1993166776
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 常に一定量の活性酸素濃度を保ち、洗浄力にむらがなく、また、その維持管理も容易な半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置を提供すること。【構成】 塩酸および純水またはアンモニア水および純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置により上記諸目的は達成される。

Claim (excerpt)：

塩酸および純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。