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J-GLOBAL ID：200903027541917463

回転電極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工方法及びその装置

Inventor： 森 勇藏
Applicant, Patent owner： 森 勇藏
Agent (1)： 柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995176476
Publication number (International publication number)：1997031670
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】 加工電極と被加工物の間の加工ギャップへ反応ガスを制御された状態で大量供給し、投入電力の限界値を高めて、中性ラジカルの密度を高めて加工速度を10〜100倍と大幅に向上させることが可能であるとともに、アーク放電の防止並びに熱的な安定を図った回転電極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工方法及びその装置を提供する。【構成】 反応ガスと不活性ガスを含むガス雰囲気中に、無端状の加工電極1と被加工物2とを加工ギャップGを形成して配設し、加工電極に高周波電力を供給するとともに、該加工電極を高速に回転させてその加工電極表面を被加工物の加工進行部10に対して高速移動させ且つ加工電極表面でガスを巻き込むことによって加工ギャップを横切るガス流を形成し、加工ギャップで発生させたプラズマ中で生成した中性ラジカルと被加工物を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化、除去させて加工を進行してなる。

Claim (excerpt)：

反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に無端状の加工電極と被加工物を配設し、該加工電極と被加工物の加工進行部との間に加工ギャップを維持しつつ、加工電極を高速に回転させることで該加工電極表面を加工進行部に対して高速移動させ且つ加工電極表面でガスを巻き込むことによって前記加工ギャップを横切るガス流を形成するとともに、加工電極に高周波電圧を印加して加工ギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づく中性ラジカルを生成し、該中性ラジカルと被加工物の加工進行部を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し且つ加工電極と被加工物とを相対的に変移させて加工を進行してなることを特徴とする回転電極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工方法。

IPC (6)：

C23F 4/00 ,  B23K 10/00 501 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/301

FI (6)：

C23F 4/00 A ,  B23K 10/00 501 A ,  H01L 21/304 311 S ,  H01L 21/304 311 Z ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/78 S