Pat

J-GLOBAL ID：200903027552203080

被制御素子を制御するためのアクティブマトリクスバックプレーンとその製造方法

Inventor： ブロディ,トーマス,ピー ,  マームバーグ,ポール,アール ,  ステイプルトン,ロバート,イー
Applicant, Patent owner： アドヴァンテック・グローバル・リミテッド
Agent (2)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004535396
Publication number (International publication number)：2005539378
Application date： May. 19, 2003
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

電子装置は、基材(10)上に堆積(deposit)された電子素子(70, 74)から形成されている。前記電子素子は、前記基材を、そのそれぞれが、その中に配置された少なくとも1つの材料堆積物源(8-1〜8-12)とシャドーマスク(12-1〜12-12)とを有する複数の堆積真空容器(4-1〜4-12)に通過させることによって前記基材上に堆積される。各堆積真空容器(4)内に配置された少なくとも1つの材料堆積物源(8)からの材料は、堆積真空容器(4)内に配置された前記シャドーマスク(12)を通して前記基材(10)上に堆積されて、電子素子のアレイから成る回路を前記基材(10)上に形成する。前記回路は、もっぱら、前記基材(10)上での材料の連続堆積によってのみ形成される。

Claim (excerpt)：

電子装置を形成する方法であって、以下の工程を有する、 (a)基材を、それぞれの中に配置された少なくとも1つの材料堆積物源とシャドーマスクとを有する複数の堆積真空容器に通過させる工程、そして (b)各堆積真空容器に配置された前記少なくとも1つの材料堆積物源からの材料を、該堆積真空容器に配置された前記シャドーマスクを通して前記基材上に堆積し、電子素子のアレイから成る回路を前記基材上に形成する工程、ここで、前記回路は、もっぱら、前記基材上での材料の連続堆積によってのみ形成される。

IPC (4)：

H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (3)：

H01L29/78 627B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

F-Term (26)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD11 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-104260
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-232537   Applicant：株式会社東芝