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J-GLOBAL ID：200903027552493282

洗浄処理装置

Inventor： 濱村 直彦 ,  村上 信也 ,  長野 泰博
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993147022
Publication number (International publication number)：1994333907
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 洗浄処理液の処理槽内流れを均一にして洗浄処理能率の向上を図る。【構成】 下方部に洗浄処理液の供給口17を有する処理槽15内に収容される洗浄処理液中に浸漬される半導体ウエハWと、供給口17との間に整流手段20を配置する。整流手段20を、処理槽15を上下に区画すべく水平に配置されると共に多数の小孔21を穿設した整流板22と、供給口17の上方に位置する拡散板24とで構成する。整流板22の縁部から下方に向って垂下する洗浄処理液の阻流壁23を形成する。これにより、処理槽15と整流板22の隙間19に向って流れる洗浄処理液の一部を阻流壁23によって阻止して、整流板22の小孔21を流れる洗浄処理液の流れとの差を少なくすることができ、処理槽15内を上昇する洗浄処理液に乱流が起きるのを防止することができる。

Claim (excerpt)：

下方部に洗浄処理液の供給口を有する処理槽と、この処理槽内に収容される洗浄処理液中に浸漬される被処理体と上記供給口との間に配置される整流手段とを具備する洗浄処理装置において、上記整流手段を、上記処理槽を上下に区画すべく水平に配置されると共に多数の小孔を穿設した整流板と、上記供給口の上方に位置する拡散板とで構成し、上記整流板の縁部から下方に向って垂下する洗浄処理液の阻流壁を形成してなることを特徴とする洗浄処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ウェハ洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-339371   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-056321
  
• 半導体ウエハー洗浄槽
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-118898   Applicant：松下電器産業株式会社