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J-GLOBAL ID：200903027557033719

多重量子井戸構造半導体レーザ

Inventor： 古森 正明 ,  土屋 朋信 ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994251776
Publication number (International publication number)：1996116129
Application date： Oct. 18, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】ゼロネット歪構造を採用した場合であっても良好な結晶性を維持することができる新規な多重量子井戸構造半導体レーザを提供すること。【構成】障壁層を少なくとも3層に分割し、かつ、積層方向において段階的に変化する量の歪を各分割層に付与する。但し、障壁層両端の分割層(量子井戸層に接する分割層)は、量子井戸層との歪量差を最小にする必要があり、かつ、障壁層中間の分割層のうちの少なくとも1層(例えば障壁層の中央部に位置する分割層)は、量子井戸層との歪量差を最大にする必要がある。なお、量子井戸層との歪量差が最大である分割層は、量子井戸層と逆方向の歪を有するものでなければならないが、その他の分割層は、必ずしも量子井戸層と逆方向の歪を有することを必要としない。

Claim (excerpt)：

基板と異なる歪量を有する複数の量子井戸層と、これらの量子井戸層の相互間にそれぞれ介在し、量子井戸層と逆方向の歪を有する複数の障壁層からなる多重量子井戸構造の活性層を備えた半導体レーザにおいて、前記障壁層は、積層方向において段階的に変化する量の歪をそれぞれ有する少なくとも3層の分割層からなり、かつ、これらの分割層のうち、障壁層両端の分割層は、量子井戸層との歪量差が最小となるように設定されたものであり、更に、障壁層中間の分割層のうちの少なくとも1層は、量子井戸層との歪量差が最大となるように設定されたものであることを特徴とする半導体レーザ。