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J-GLOBAL ID：200903027574004463

半導体式ガスセンサ

Inventor： 吉水 泰彦
Applicant, Patent owner： 日本セラミック株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992131949
Publication number (International publication number)：1994160321
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体式ガスセンサの感ガス部の構造を簡単化することにより製造コストの低減と特性改善が成された半導体式ガスセンサ及びこの駆動回路を提供する。【構成】 絶縁基板上の片面にヒータ、金属酸化物薄膜、及び信号取出電極をヒータと金属酸化物薄膜との間に特別な絶縁手段を介さず形成した感ガス部によって半導体式ガスセンサを構成する。この半導体式ガスセンサの駆動回路は、電気的絶縁された金属酸化物薄膜駆動回路とヒータ制御回路より構成される。【効果】 高性能、高信頼性の半導体式ガスセンサ及びこの駆動回路を極めて安価に製造可能となる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に金属酸化物薄膜及びヒータを形成した半導体式ガスセンサのガス感受部に於いて、金属酸化物薄膜とヒータとが電気的絶縁層を介さず直接接触していることを特徴とする半導体式ガスセンサ。