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J-GLOBAL ID：200903027580733787

誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ

Inventor： 岡松 俊宏 ,  柴田 将充 ,  浜地 幸生
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996178227
Publication number (International publication number)：1998025157
Application date： Jul. 08, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 1160°C以下で焼成でき、誘電率が1000以上の高誘電率でありながらX8R特性を満足する。【解決手段】 次の組成式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO<SB>3</SB>+aBi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>+bTa<SB>2</SB>O<SB>5</SB>+cM<SB>A</SB>O+dM<SB>B</SB>O<SB>2</SB>+eRe<SB>2</SB>O<SB>3</SB>(ただし、M<SB>A</SB>はMg、Ca、Znのうち少なくとも1種類、M<SB>B</SB>はTi、Sn、Zrのうち少なくとも1種類、Re<SB>2</SB>O<SB>3</SB>はY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Erの酸化物のうち少なくとも1種類、a、b、c、d、およびeはモル%)で表され、a、b、c、d、およびeがそれぞれ1.0≦a≦6.0、0.5≦b≦4.5、0<c≦4.0、1.5≦d≦15.0、0.5≦e≦5.5の範囲内にある主成分に対し、副成分として、酸化物ガラスを含有した材料によって構成される誘電体セラミック組成物であって、副成分は、誘電体セラミック組成物100重量%のうち0.05〜2.5重量%含有する。

Claim (excerpt)：

次の組成式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO<SB>3 </SB>+aBi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+bTa<SB>2 </SB>O<SB>5 </SB>+cM<SB>A </SB>O+dM<SB>B </SB>O<SB>2 </SB>+eRe<SB>2 </SB>O<SB>3</SB>(ただし、M<SB>A </SB>はMg、Ca、Znのうち少なくとも1種類、M<SB>B </SB>はTi、Sn、Zrのうち少なくとも1種類、Re<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>はY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Erの酸化物のうち少なくとも1種類、a、b、c、d、およびeはモル%)で表され、a、b、c、d、およびeがそれぞれ1.0≦a≦6.00.5≦b≦4.50<c≦4.01.5≦d≦15.00.5≦e≦5.5の範囲内にある主成分に対し、副成分として、酸化物ガラスを含有した材料によって構成される誘電体セラミック組成物であって、前記副成分は、前記誘電体セラミック組成物100重量%のうち0.05〜2.5重量%含有することを特徴とする誘電体セラミック組成物。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358

FI (3)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358