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J-GLOBAL ID：200903027586496019

Zr/Hfケイ酸塩化学蒸着のための組成物および方法

Inventor： バーム,トーマス,エイチ. ,  ポー,ウィトルド
Applicant, Patent owner： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001528226
Publication number (International publication number)：2003511554
Application date： Oct. 02, 2000
Publication date： Mar. 25, 2003
Summary：

【要約】 例えば化学蒸着(CVD)によって基板上にジルコニウムおよび/またはハフニウム・ケイ酸塩フィルムを形成するための前駆体組成物。前駆体組成物の例としては、(1)MをZrまたはHfとして金属Mに配位されたシリコン・アルコキシド(シロキシド)リガンドを含む第1の前駆体金属化合物または複合体と、(2)MをZrまたはHfとして金属Mに配位された脂肪族アルコキシド・リガンドを含む第2の前駆体金属化合物または複合体を含み、前記第1および第2の前駆体の相互に対する相対的な比率が前記沈着されるケイ酸塩薄膜内のM/Si比率を制御可能に設定するために用いられる。前記組成物が液体伝達CVDに適合して、超小型装置製造のための安定した薄膜ゲート誘電体と形成できるようにするために、前記前駆体組成物は溶媒を含んでいてもよい。

Claim (excerpt)：

基板上に金属ケイ酸塩フィルムを形成するためのCVD前駆体組成物において、該前駆体組成物が、 (a) ケイ酸ジルコニウム薄膜を形成するための単一ソース前駆体であって、その成分としてZr、OおよびSiを含む化合物または配位複合体である単一ソース前駆体と、 (b) ケイ酸ハフニウム薄膜を形成するための単一ソース前駆体であって、その成分としてHf、OおよびSiを含む化合物または配位複合体である単一ソース前駆体と、 (c) (1)金属Mに配位されたシリコン・アルコキシド(シロキシド)リガンドを含み、M=ZrもしくはHfである第1の金属化合物または複合体と、(2)金属Mに配位された脂肪族アルコキシド・リガンドを含み、M=ZrもしくはHfである第2の前駆体金属化合物または複合体で構成され、前記第1および第2の前駆体の相互に対する相対的比率が沈着されるケイ酸塩薄膜内で望ましいM/Si比率を制御可能に実現するために用いられることを特徴とする前駆体混合物と、 (d) (1)金属Mを含み、M=ZrもしくはHfである第1の前駆体金属化合物または複合体と、(2)そのような金属Mは含んでおらず、前記第1および第2の前駆体の相互に対する相対的比率が、xを0.01-0.99の範囲として、沈着されたケイ酸塩薄膜内でのMx/Si1-x比率を制御可能に実現するために用いられることを特徴とする前駆体混合物と、 (e) (1)金属Mを含み、M=ZrもしくはHfである第1の前駆体金属化合物または複合体と、(2)そのような金属Mを追加的に含み、前記第1および第2の前駆体の相互に対する相対的比率が、xを0.01-0.99の範囲として、沈着されたケイ酸塩薄膜内でのMx/Si1-x比率を制御可能に実現するために用いられることを特徴とする第2の前駆体ケイ素化合物または複合体と、 (f) M=ZrまたはHfである金属Mと、少なくとも1つのアルコキシド・リガンドと、少なくとも1つのβ-ジケトン・リガンドを含み、さらに任意にケイ素を含む前駆体金属化合物または複合体と、 (g) そのような金属Mを含まない前記第2の前駆体ケイ素化合物または複合体がSTPでガスであり、前記第1および第2の前駆体の相互に対する相対的比率が、を0.01-0.99の範囲として、沈着されたケイ酸塩薄膜内でのMx/Si1-x比率を制御可能に実現するために用いられることを特徴とする前記金属化合物または複合体(d)と、 (h) ケイ素を含まず、第2のケイ素含有前駆体化合物または複合体と組み合わせられた前記前駆体金属化合物または複合体(e)と、 (i) さらにケイ素を含み、M=ZrまたはHfとして、金属Mを含む第2のケイ素非含有前駆体金属化合物または複合体と組み合わせられた前記金属化合物または複合体(e)と、 (j) 上記種(a)-(i)のいずれか2以上の共存可能な混合物と、からなる群から選択されるソース剤を含むことを特徴とする、基板上に金属ケイ酸塩フィルムを形成するためのCVD前駆体組成物。

IPC (3)：

C23C 16/40 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/08

FI (3)：

C23C 16/40 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/08 W

F-Term (11)：

4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VU24 ,  4H049VW01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42