電気光学装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000100257
Publication number (International publication number)：2000353811
Application date： Apr. 03, 2000
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】回路機能に応じて適切な構造のTFTを配置し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】同一の絶縁体上に駆動回路部と画素部とを有する半導体装置において、駆動TFTのゲート絶縁膜115、116を画素TFTのゲート絶縁膜117よりも薄く設計する。また、画素TFTではゲート電極121の下にチャネル形成領域112a、112bが形成され、その間に分離領域113が形成される。その際、LDD領域111a、111dはゲート電極に重なる領域と重ならない領域とを有する。

Claim (excerpt)：

同一の絶縁体上に画素部と駆動回路部とを有する半導体装置において、前記画素部に形成される画素TFTの活性層は、ソース領域とドレイン領域との間に低濃度不純物領域、チャネル形成領域及び高濃度不純物領域を有し、前記チャネル形成領域及び高濃度不純物領域はゲート電極の下に設けられ、前記低濃度不純物領域は、一部がゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極に重なっていることを特徴とする電気光学装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 , G09F 9/30 338

FI (6)：

H01L 29/78 617 S , G09F 9/00 348 C , G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-142633 Applicant：ソニー株式会社
薄膜半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-186266 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-306223 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-142633 Applicant：ソニー株式会社
薄膜半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-186266 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-306223 Applicant：株式会社東芝

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