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J-GLOBAL ID：200903027615364127

半導体素子

Inventor： 岩上 信一 ,  町田 修 ,  柳原 将貴
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (2)： 木村 満 ,  毛受 隆典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006025615
Publication number (International publication number)：2007208036
Application date： Feb. 02, 2006
Publication date： Aug. 16, 2007
Summary：

【課題】電流コラプス現象を良好に抑制することが可能な半導体素子を提供する。【解決手段】ショットキーダイオード1は、基板2と、基板2上に形成され窒化物系化合物半導体から構成されたチャネル層3と、半導体素子の電流路の端部を構成するアノード電極4及びカソード電極5と、基板2と電気的に接続されたダミー電極11と、を備えている。アノード電極4は、チャネル層3とショットキー接合を有するように形成されている。カソード電極5は、チャネル層3と低抵抗接触するように形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成されたチャネル層と、 前記チャネル層上に形成され、半導体素子の電流路の端部を構成する第1及び第2の電極と、 前記チャネル層上に形成され、前記基板と電気的に接続されたダミー電極と、 を備え、 前記第1の電極は前記チャネル層とショットキー接合を有するように形成され、 前記第2の電極は前記チャネル層と低抵抗接触するように形成されている、ことを特徴とする半導体素子。

IPC (5)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778

FI (4)：

H01L29/48 F ,  H01L29/80 K ,  H01L29/80 H ,  H01L29/48 D

F-Term (27)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR11 ,  5F102GS03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-091495   Applicant：日本電気株式会社