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J-GLOBAL ID：200903027615728501

外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法

Inventor： 永井 秀樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999135195
Publication number (International publication number)：2000332071
Application date： May. 17, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 外観検査における虚報データを排除して、レビュー等の欠陥対策作業の迅速化を実現する。【解決手段】 外観検査(ステップ101)で得られた複数の欠陥情報を含む欠陥データに対して、密集欠陥群をグループとして識別するクラスタリング(ステップ102)を実行した後、個々のグループ内の欠陥群の座標に基づく相関係数γの算出(ステップ104)、座標変換(ステップ105)後の欠陥群の座標に基づく相関係数γ’の算出(ステップ106)を行い、このγおよびγ’に基づいて当該グループが虚報か否かを判別し(ステップ107)、虚報の場合には識別情報をグループ内の欠陥データに付加する(ステップ108)処理を、全グループに実施し(ステップ109)、虚報と判定された欠陥データを除外(ステップ110)して、欠陥原因解析等のレビューを実行する(ステップ111)。

Claim (excerpt)：

対象物から検出された複数の欠陥の分布状態に基づいて、前記欠陥が真の欠陥か、それ以外の虚報かを判別することを特徴とする外観検査方法。

F-Term (11)：

4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA10 ,  4M106CA38 ,  4M106DA15 ,  4M106DB18 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ27