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J-GLOBAL ID：200903027628514128

半導体装置

Inventor： 石原 宏康
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252412
Publication number (International publication number)：1993090255
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 パッシベーション膜の防水性を改善する。【構成】 アルミ配線2を覆うパッシベーション膜を第1PSG膜10、第1SiN膜11、第2PSG膜12、第2SiN膜13の積層構造とし、第2SiN膜13以外は薄い膜とする。これによって、表面の平坦性は第2SiN膜13によって、内部に空孔が生じた場合の防水性は、第1SiN膜11によって確保する。そして、第1SiN膜はかなり薄いものであり、上下は第1及び第2PSG膜10,12によって覆われているため、アルミ配線2に対するストレスはさほど大きくなく、またアルミ配線2間に生じる静電容量の上昇も抑制することができる。

Claim (excerpt)：

金属配線層を覆う表面保護膜を有する半導体装置であって、上記表面保護膜は、防水性が比較的悪く低誘電率の第1の保護膜と、高誘電率で防水性の良い第2の保護膜の積層構造からなり、かつ第2の保護膜として下層側に配置される薄い膜と上層側に配置される比較的厚い膜の少なくとも2層を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316