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J-GLOBAL ID：200903027628937177
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220931
Publication number (International publication number)：1995079017
Application date： Sep. 06, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体を発光層の材料として青色または緑色の光を出射でき、しかも発光層の一部に効率良く電流を注入でき、安定に光を出力できる半導体発光素子を提供する。【構成】 基板11上に、発光層13を含む複数のII-VI族化合物半導体層12〜17が積層されている。複数のII-VI族化合物半導体層12〜17の層間に、II-VI族化合物半導体層14,16との界面にヘテロバリアを形成するIII-V族化合物半導体層15を所定のパターン形状で設ける。
Claim (excerpt)：
基板上に、発光層を含む複数のII-VI族化合物半導体層が積層された半導体発光素子において、上記複数のII-VI族化合物半導体層の層間に、上記II-VI族化合物半導体層との界面にヘテロバリアを形成するIII-V族化合物半導体層が所定のパターン形状で設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
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