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J-GLOBAL ID：200903027637840240

ブランケツトタングステンプラグ形成法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991151668
Publication number (International publication number)：1993003170
Application date： Jun. 24, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】配線形成のための接続孔6側壁での層剥離の問題を起こさない安定したブランケットタングステンプラグ形成法を提供する。【構成】基板1上に形成された層間絶縁膜3に接続孔6を形成する工程、全面にβ-W及び/又はW5Si3薄膜7を被着して上記接続孔6の側壁面に上記薄膜7を形成する工程、上記薄膜上全面にタングステンを成長させて、接続孔6を埋め込む工程、上記薄膜を熱処理して通常のタングステンに相変化させる工程、上記タングステンをエッチバックして上記接続孔のみにタングステンを残す工程を含む。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された層間絶縁膜に、該基板に達する接続孔を形成する工程、全面にβ-W及び/又はW5Si3薄膜を被着して前記接続孔側壁面にβ-W及び/又はW5Si3薄膜を形成する工程、前記β-W及び/又はW5Si3薄膜上全面にタングステンを成長させて、前記接続孔を埋め込む工程、前記β-W及び/又はW5Si3薄膜を熱処理して通常のタングステンに相変化させる工程、及び前記タングステンをエッチバックして前記接続孔のみにタングステンを残す工程、を含むことを特徴とするブランケットタングステンプラグ形成法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90