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J-GLOBAL ID:200903027657701492

洗浄装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993088434
Publication number (International publication number):1994302576
Application date: Apr. 15, 1993
Publication date: Oct. 28, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 半導体表面のSiO2 膜をエッチングすると共に、表面洗浄を行なう洗浄装置に関し、ウエハ表面のSiO2 膜エッチングによって分解された金属元素等の不純物をSi表面に再付着させることなく、除去することができる洗浄装置を提供することを目的とする。【構成】 弗酸水溶液3を収容する容器2の開口1を覆うことのできる疎水性多孔質膜4を含むフィルタ部材と、前記容器の内部を加熱するための加熱手段5と、対象物6を載置し、冷却するための冷却槽7と、前記容器の開口上の前記フィルタ部材の上部に接続されたガス供給系8と、前記ガス供給系と前記冷却槽7の上部とを接続し、容器から前記フィルタ部材を介して前記ガス供給系に供給された蒸気を対象物上に供給するための他のガス供給系と、前記対象物をリンス、乾燥するためのリンス乾燥手段とを有する。
Claim (excerpt):
弗酸水溶液(3)を収容する容器(2)の開口(1)を覆うことのできる疎水性多孔質膜(4)を含むフィルタ部材と、前記容器(2)の内部を加熱するための加熱手段(5)と、対象物(6)を載置し、冷却するための冷却槽(7)と、前記容器(2)の開口(1)上の前記フィルタ部材の上部に接続されたガス供給系(8a)と、前記ガス供給系(8a)と前記冷却槽(7)の上部とを接続し、容器(2)から前記フィルタ部材を介して前記ガス供給系(8a)に供給された蒸気を対象物(6)上に供給するための他のガス供給系(8)と、前記対象物(6)をリンス、乾燥するためのリンス乾燥手段(18、20)とを有する洗浄装置。
IPC (2):
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特開平4-097526
  • 特開昭62-213127
  • 特開平2-237029
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-097526
  • 特開昭62-213127
  • 特開平2-237029

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