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J-GLOBAL ID：200903027668860274

半導体レーザユニット

Inventor： 高森 晃 ,  小河 晴樹 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995215845
Publication number (International publication number)：1997064470
Application date： Aug. 24, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 熱抵抗の低い半導体レーザユニットを提供する。【構成】 シリコン基板101と半導体レーザチップ102の間のメッキ層108の膜厚を10μm以上にする。さらにメッキ層108の面積をレーザチップ102のボンディング面積よりも大きくする。これにより、レーザチップ102からの発熱を効率よくシリコン基板101に伝えることができる。

Claim (excerpt)：

受光素子を有するシリコン基板と、前記シリコン基板上にメタル層を介して配置された半導体レーザチップと、前記導体レーザから出射するレーザ光を反射するミラーとを備え、前記レーザチップは実装後の熱抵抗が45°C/W以下を必要とするものであり、前記メタル層の熱伝導率はシリコンよりも大きく、その厚みは10μm以上であることを特徴とする半導体レーザユニット。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-210163   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-278593
  
• 特開昭61-179589
  
• 特開昭63-160292