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J-GLOBAL ID：200903027683755800

微小接合素子の製造方法およびその製造装置

Inventor： 山岸 秀章 ,  原 仁 ,  尾上 寧 ,  岸 直輝
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 渡辺 正康 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994173890
Publication number (International publication number)：1996037177
Application date： Jul. 26, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 再現性のある微細な穴加工を行い,高速,高感度で安定した微小接合素子を提供する。【構成】 絶縁層2と導電層3が積層された基板1に集束イオンビーム11を照射したときに,前記導電層に流れる電流を表面電流検出手段により検出し,前記イオンビームが前記絶縁層を突き抜けて前記基板に達し,該基板に接続された接触電極12に所定の電流が流れた瞬間に前記基板へのイオンビームの照射を阻止するようにした。

Claim (excerpt)：

絶縁層と導電層が積層された基板に集束イオンビームを照射したときに,前記導電層に流れる電流を表面電流検出手段により検出し,前記イオンビームが前記絶縁層を突き抜けて前記基板に達し,該基板に接続された接触電極に所定の電流が流れた瞬間に前記基板へのイオンビームの照射を阻止するようにしたことを特徴とする微小接合素子の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/302 D ,  H01L 21/302 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の配線修正装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197990   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭60-057935
  
• 特開昭52-058476