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J-GLOBAL ID：200903027722619987

パターン形成方法

Inventor： 深瀬 健二 ,  青江 弘行
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992304871
Publication number (International publication number)：1994132216
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、2層のレジスト膜を2段露光・現像により光位相シフト効果を用いて任意のパターンを形成するパターン形成方法において、第1段の露光・現像で矩形の段差を形成することができ、しかも、段差の深さを簡単にコントロールできるようにしたパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に下層レジスト膜2を成膜した上に、下層レジスト膜と光学的特性の異なる上層レジスト膜3を成膜し、第1段階の露光・現像で、マスクパターン4を用いて上層レジスト膜3を露光・現像して上層レジスト膜3の膜厚と概ね同じ厚さの矩形の表面段差を形成する構成とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に2層のレジスト膜を塗布し、2段階露光・現像により光位相シフト効果を用いて任意のパターンを形成するパターン形成方法において、半導体基板上に下層レジスト膜を成膜した上に、前記下層レジスト膜と光学的特性の異なる上層レジスト膜を成膜し、第1段の露光・現像時に、マスクパターンを用いて上層レジスト膜のみを感光させ、現像して上層レジスト膜の膜厚と概ね同じ厚さの矩形の表面段差を形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

FI (2)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 301 C