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J-GLOBAL ID:200903027745652990

フェニルアセテートおよびその使用方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993095657
Publication number (International publication number):1994065227
Application date: Mar. 30, 1993
Publication date: Mar. 08, 1994
Summary:
【要約】【構成】 次式I〔式中、Aは次式:で表される基を表し、R1 およびR2 は互いに独立してH、C数1〜4のアルキル基、C数1〜4のアルコキシ 基、ハロゲン原子または式:-CH2COOAもしくは式:(式中、Xは-O- 、-CH2- 、-C(CH3)2-もしくは-SO2- を表す。)で表される基を表し、ならびにR3 およびR4 は互いに独立して水素原子、C数1〜4のアルキル基またはフェニル基を表す。〕で表される化合物ならびに該化合物を溶解抑制剤として含む放射線感受性組成物。【効果】 上記組成物は優れた解像度を有し、特に集積回路を製造するのに適当なポジ型レジストして使用できる。
Claim (excerpt):
次式I〔式中、Aは次式:で表される基を表し、R1 およびR2 は互いに独立して水素原子、炭素原子数1ないし4のアルキル基、炭素原子数1ないし4のアルコキシ基、ハロゲン原子または式:-CH2 -COOAもしくは式:(式中、Xは-O-、-CH2 -、-C(CH3 )2 -もしくは-SO2 -を表す。)で表される基を表し、ならびにR3 およびR4 は互いに独立して水素原子、炭素原子数1ないし4のアルキル基またはフェニル基を表す。〕で表される化合物。
IPC (5):
C07D309/12 ,  C07D307/20 ,  G03F 7/004 531 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/31

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