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J-GLOBAL ID：200903027747568724

化学気相成長用銅原料及びこれを用いた薄膜の製造方法

Inventor： 小野沢 和久 ,  神元 俊哉
Applicant, Patent owner： 旭電化工業株式会社
Agent (1)： 羽鳥 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999370087
Publication number (International publication number)：2001181840
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 各種CVD法に適する充分な安定性を有し、単一で液体であるCVD用銅原料及び該原料による銅系薄膜のCVD法による製造方法を提供する。【解決手段】 室温で液体である銅(II)のβ-ジケトネート錯体からなる化学気相成長用原料。

Claim (excerpt)：

室温で液体である銅(II)のβ-ジケトネート錯体からなる化学気相成長用原料。

IPC (5)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C07C 49/92 ,  C07F 1/08

FI (5)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  C07C 49/92 ,  C07F 1/08 B

F-Term (23)：

4H006AA03 ,  4H006AB84 ,  4H048AA03 ,  4H048AB84 ,  4H048AB91 ,  4H048AB99 ,  4H048VA20 ,  4H048VA22 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4H048VB40 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD45