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J-GLOBAL ID:200903027753938037

全波整流回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 國分 孝悦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995079764
Publication number (International publication number):1996251925
Application date: Mar. 10, 1995
Publication date: Sep. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】ICカード内のICとワンチップ化が可能な整流回路を提供する。【構成】ゲートをドレインに短絡させた4つのnチャネルMOSトランジスタTr1 〜Tr4 をブリッジ型に結合し、出力端子O1 、O2 間に平滑用のリプルフィルタコンデンサCを設ける。入力端子P1 、P2 のうちの低電位側に接続されたMOSトランジスタTr1 及びTr2 のしきい値電圧を50〜200mVの範囲に設定して、順方向バイアスされる寄生ダイオードD2 、D5 及びD4 、D7に流れる電流を極微量とし、整流効率を高める。
Claim (excerpt):
ドレイン及びゲートが共に第2の出力端子に接続され、ソースが第1の入力端子に接続された第1のnチャネルMOSFETと、ドレイン及びゲートが共に前記第2の出力端子に接続され、ソースが第2の入力端子に接続された第2のnチャネルMOSFETと、ドレイン及びゲートが共に前記第1の入力端子に接続され、ソースが第1の出力端子に接続された第3のnチャネルMOSFETと、ドレイン及びゲートが共に前記第2の入力端子に接続され、ソースが前記第1の出力端子に接続された第4のnチャネルMOSFETと、前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間に接続されたリプルフィルタコンデンサとを備え、前記第2の出力端子が基準電位点に接続されていることを特徴とする全波整流回路。
IPC (3):
H02M 7/219 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (2):
H02M 7/219 ,  H01L 27/08 102 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平4-255471
  • 特表平1-500559

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