バイポーラトランジスタおよびその製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：朝日奈宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189530
Publication number (International publication number)：1994037103
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】寄生容量をなくして素子の高速化を図ることができると共に、マスク数を減らして素子の微細化を容易に達成することができるバイポーラトランジスタが形成される半導体装置およびその製法を提供する。【構成】絶縁基板上にエミッタ領域4a、ベース領域5a、コレクタ領域4bが横方向に形成され、エミッタ、コレクタ領域はSi層でベース領域はSiGe層で形成される。前記Si層はポリ半導体層で形成したのち、レーザアニールなどで単結晶化する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上にエミッタ、ベースおよびコレクタの各領域が直接横方向に形成され、前記エミッタ領域およびコレクタ領域は第1導電型のシリコン層からなり、前記ベース領域は第2導電型のゲルマニウム化シリコン層からなるバイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/165

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-254470
特開平4-180234
特開平3-244156

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